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東芝のMOSFET TK3A60DAでもシミュレーションしてみました。確か600V耐圧だったかな？秋月電子で、50円だったと思います。
MOSFETは、電圧利用率がいいので、電源電圧は低くてもいいです。超三結も電圧利用率はいいはずです。
上図は回路図。
中図は、赤が出力電力で、4.28Wです。緑は負荷電圧で歪は、約0.23%です。
下図は、ロードラインです。赤がQ1,緑がQ2で、わずかに短いです。
なお、負荷への出力インピーダンスは、0.9Ωです。
さて、C1,R3がないと発振します。R4,R5も入れないと不安定です。
ゆうき様のシングルをを差動アンプに改造する案はなかなかいいですね。
MOSFETは、ドレイン電流とソース電流は等しいので、ゲート接地では、電流増幅率は１です。
トランジスタでは、ベース電流があるので、ベース接地ではその分違ってきます。HFEが100もあれば、ベース接地の電流増幅率は99%くらいです。
ぺるけ師匠の差動理論のQ1,Q2とトランスで閉じて電流が回るという話が、ここでは、ベース接地が電流増幅率がほぼ1なので、成り立っているのでしょうね。
ベース接地はインピーダンスが高いと言いましたが、電流だけで考えると、回るんですね。
ただし、定電流回路を使った場合ですが。
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